收藏本站
AUIRLR3410
350
TOP
I D
3.7A
15V
300
BOTTOM
6.4A
9.0A
250
VDS
L
DRIVER
200
RG
10V
tp
D.U.T
IAS
0.01 Ω
+
-
VDD
A
150
100
Fig 12a. Unclamped Inductive Test
50
Circuit
0
V DD = 25V
A
25
50
75
100
125
150
175
V (BR)DSS
Starting T J , Junction Temperature (°C)
tp
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K Ω
Q G
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
5.0V
V G
Q GS
Q GD
V GS
3mA
D.U.T.
+
V
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
6
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback
March 17, 2014
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
AW24MUFL-H2 2.4GHZ WIRELESS MODULE U.FL
AWAC24U 2.4GHZ WIRELESS USB DONGLE
AWS24S MODULE WIRELESS USB EXT ANT
B1A-10PK LAMP INDICATOR T-3 1/4 120V 10PK
B2A LAMP NEON T3-1/4 MINI BAYONT
B57261V2223J60 THERMISTOR NTC 22K OHM 5% SMD
B57550G0104F000 THERMISTOR NTC 100K OHM 1% RAD
B58610T4600A001 PRESSURE SENSOR ABSOLUTE 1.6BAR
相关代理商/技术参数
AUIRLR3410TR 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRLR3410TRL 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRLR3410TRR 功能描述:MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRLR3636 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRLR3636 制造商:International Rectifier 功能描述:N CH MOSFET AUTOMOTIVE 60V 50A TO-25
AUIRLR3636TR 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRLR3636TRL 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
AUIRLR3636TRR 功能描述:MOSFET AUTO 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube